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| 砷化镓晶体 [ GaAs ] |
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光学 GaAs 为中功率和高功率连续CO2激光系统的透镜和反射镜提供了 ZnSe 的替代品。GaAs 在对韧性和耐久性要求很高的应用中特别有用。它的硬度和强度使砷化镓成为一个很好的选择，因为灰尘或研磨颗粒往往会积聚在光学表面上或轰击光学表面。即使使用最好的镀膜，较软的衬底也能使颗粒嵌入光学元件。通常在需要频繁擦拭的情况下，使用砷化镓将延长光学寿命。 |
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| 由于大多数砷化镓是为半导体而不是光学应用而制造的，因此仔细筛选入射材料对于生产高质量的砷化镓光学器件至关重要。我们利用我们的激光真空量热能力和其他技术来筛选，夹杂物或其他导致光学性能较差的缺陷的材料。 |
| 参数表 |
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 传输范围 |
0.6 to 21.0μm |
| 反射率 |
2.4028 at 10μm |
| 反射损耗 |
29.1% at 10.6μm [ 2 surfaces ] |
| 吸收系数 |
0.0005cm-1 at 10.6μm |
| 峰值 |
45.7microns |
| dn/dT |
+61 × 10-6/°C at 10.6μm at 298K |
| dn/dμ = 0 |
5.5μm |
| 密度 |
5.27g/cm3 |
| 熔点 |
1525°C [ dissociates about 700°C ] |
| 热导系数 |
18 W/ [ m K ] at 298K |
| 热膨胀系数 |
7.1 × 10-6/ °C at 273K |
| 硬度 |
Knoop 120 with 50g indenter |
| 比热 |
339 J · kg-1 · K-1 |
| 体积模量 [ K ] |
40 GPa |
| 杨氏模量 [ E ] |
67.2 GPa |
| 弹性限制 |
55.1 MPa [ 8,000psi ] |
| 泊松比 |
0.28 |
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| 备注： |
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| 1. |
有更多的问题请直接联系我们的销售工程师。 |
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| 2. |
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| 3. |
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收到询问 24小时内服务 [ 工作日 ]。 |
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